Tá teicneolaíocht eitseáil tirim ar cheann de na príomhphróisis. Is príomhábhar é gás eitseáil tirim i ndéantúsaíocht leathsheoltóra agus is foinse thábhachtach gáis é le haghaidh eitseáil plasma. Bíonn tionchar díreach ag a fheidhmíocht ar cháilíocht agus ar fheidhmíocht an táirge deiridh. Roinneann an t -alt seo go príomha cad iad na gáis eitseáilte a úsáidtear go coitianta sa phróiseas eitseáil tirim.
Gáis bunaithe ar fhluairín: mar shamplatetrafluoride carbóin (CF4), hexafluoroethane (C2F6), trifluoromethane (CHF3) agus perfluoropropane (C3F8). Is féidir leis na gáis seo fluairídí so -ghalaithe a ghiniúint go héifeachtach agus comhdhúile sileacain agus sileacain á n -eitseáil, rud a fhágann go mbaintear ábhar ábhartha.
Gáis-bhunaithe clóirín: mar chlóirín (CL2),Bórón Trichloride (BCL3)agus sileacain teitreaclóiríd (SICL4). Is féidir le gáis atá bunaithe ar chlóirín ian clóiríde a sholáthar le linn an phróisis eitseáil, rud a chabhraíonn leis an ráta eitseáil agus an roghnaíocht a fheabhsú.
Gáis bunaithe ar bhróimín: mar shampla bróimín (BR2) agus iaidín bróimín (IBR). Is féidir le gáis atá bunaithe ar bhróimín feidhmíocht eitseáil níos fearr a sholáthar i bpróisis áirithe eitseáil, go háirithe nuair a bhíonn ábhair chrua á n-eitseáil amhail cairbíd sileacain.
Gáis bunaithe ar nítrigin agus gáis bunaithe ar ocsaigin: amhail trifluoride nítrigine (NF3) agus ocsaigin (O2). Is iondúil go n -úsáidtear na gáis seo chun na coinníollacha imoibriúcháin a choigeartú sa phróiseas eitseáil chun roghnaíocht agus treo na n -eitseáil a fheabhsú.
Baineann na gáis seo amach go beacht ar dhromchla an ábhair trí mheascán de sputtering fisiciúil agus imoibrithe ceimiceacha le linn eitseáil plasma. Braitheann rogha an gháis eitseáil ar an gcineál ábhair atá le eitseáil, riachtanais roghnaíochta an eitseáil, agus an ráta eitseáil inmhianaithe.
Am Post: Feabhra-08-2025
